تستعد شركة “سامسونج” الكورية الجنوبية، والمختصة في تصنيع الهواتف الذكية والأجهزة الإلكترونية، لتقديم ذاكرة “HBM4” فائقة السرعة في العام بعد المقبل 2025، حيث أوضحت الشركة أنها تعمل على رفع مستوى الآداء نحو مرحلة جديدة، بحسب تصريح نائب الرئيس التنفيذي ورئيس فريق منتجات DRAM في سامسونج، سانج جون هوانج.
وأوضحت الشركة، أنها ستعمل على تزويد عملائها بالذاكرة التي تحمل اسم “HBM3E” خلال الفترة المقبلة، لافتة إلى أنها تتميز بمعدل نقل بيانات يصل إلى حوالي 9.8 / الثانية، مشيرة إلى أن عرض “النطاقٍ الترددي” يصل لحوالي 1.25 تيرابايت/ الثانية لكل حزمة، بهدف خدمة النظام الإيكولوجي الخاص بـ “الذكاء الاصطناعي” والحوسبة العالية الأداء.
وأشارت الشركة الكورية الجنوبية إلى أنها تعمل على “دمج” التقنيات الحرارية العالية، ويشتمل ذلك على تجميع “الرقائق” غير الموصلة “NCF”، بالإضافة إلى الترابط النحاسي الهجين “HCB”، حيث يعمل “الترابط الهجين” على توفير حلًا يتيح عرض نطاقٍ ترددي مرتفع، بالإضافة إلى زيادة الطاقة، وسلامة الإشارة، وأيضًا “تحسين” إمكانيات التكديس للحزمة الواحدة.
التعليقات